JPE系列PECVD

单室/多室全自动PECVD平台，工件6-12英寸标准硅片，集成气路柜、真空机械手传输、氮气封闭环境片盒。

特 性

特征描述

  • 最大12英寸的RF/VHF-PECVD，利用等离子体化学气相沉积过程，在12英寸工件表面沉积微电子器件用的薄膜，可沉积非晶硅、微晶硅、氧化硅、或硅的氮氧化物等薄膜，多工位全自动操作，多路气源选项，广泛应用于半导体、光伏等领域科研研究和中试生产。
  • 带内置热壁的升降地电极，可控制气流分布、局域等离子体放电范围、提高沉积均匀性
  • 全自动双面多片连续沉积

参 数

JPE12S4 四工位3工艺室12英寸全自动PECVD

名称 描述 数量
工艺腔室 全铝真空室，自动翻盖，上喷淋电极，下电极可升降，带内置热壁 3
加热缓冲室 铝腔室，可加热350℃，可缓存一片工件 1
工件 最大有效尺寸不小于12" 片盒可缓存5-10片
加热温度 地电极和可调节热壁，350℃
电极间距 8-28
RF/VHF电源 13.56MHz/40.68MHz 3
特气柜 工艺腔MFC 5-6-6路，两通道进工艺腔 3
压力控制 薄膜规+变通导阀，稳定压力0.1-10Torr 3
极限真空 ≤3×10-4Pa
工件翻面 大气环境全自动机械手操作 1
-

图片

JEP12S4