离子源和离子枪
空心阴极和热阴极离子源，最大电流50-150A，中低压工作电压，可用于离子束加热、反应离子辅助沉积等工艺制程
Learn morePECVD技术应用
PECVD利用等离子体增强化学气相沉积技术，可以生长a-Si、SiOx、SiNx等材料半导体纳米薄膜。捷造的PECVD技术应用于范围从6英寸到12英寸的实验室设备，300mmx300mm到1200x1200mm的中试设备，以及产能500MW-750MW的生产型设备。
Learn more北京捷造光电技术有限公司
压力控制技术
CBV系列型智能流导控制阀是泵端压力控制系统的核心单元，集成了蝶形流导阀门、测量电路、闭环控制器、通信和阀门驱动电路。控制器内置控制算法和高速驱动系统可以使系统压力快速达到设定值，并且具有最小的超调量。控制器带有学习算法，可以使阀门适应多种复杂应用环境。
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PVD技术应用
采用低损伤溅射技术、离子源离子辅助沉积、共蒸发等物理气相沉积(PVD)技术，应用于光伏半导体TCO电极、钙钛矿材料沉积，捷造的PVD技术涵盖实验室、中试和产线技术应用。
Learn more更多应用...
捷造的专用核心部件和仪器，广泛应用于光伏和半导体设备，用于解决工艺制程中核心操作，这些部件包含等离子体发生、溅射阴极、蒸发源、压力控制阀、门阀、真空机械手、膜厚测量仪等。
共蒸发源
安装于标准450平台的的多蒸发源共沉积模块，2-6个独立蒸发源，独立气动挡板，直流闭环电流控制。用于OLED/钙钛矿材料研究。
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